Huawei prezintă metodă inovatoare pentru cipurile de 2 nm cu litografie DUV

Huawei a publicat un brevet care ar permite fabricarea cipurilor de 2 nm fără utilizarea tehnologiei EUV, putând expune doar etichetele DUV.

Detalii tehnice ale brevetului

  • Metoda descrisă de Frederick Chen vizionează 21 nm pas metalic, echivalent cu performanțele nodurilor de 2 nm ale TSMC și Samsung.
  • Se bazează pe un flux optimizat Self‑Aligned Quadruple Patterning (SAQP).
  • Poate reduce expunerile DUV la doar patru, sub standardele obișnuite în litografia multiplă.

Cum funcționează SAQP

  • SAQP controlează precizia de mărire a picăturilor de chemare pentru a nu depăși capacitatea DUV.
  • Procesul păstrează liniile sub 3 nm, ceamen în etapa de etichetare.
  • Impactul: producția poate răsări direct spre generația 2 nm, evitând tehnologia cu EUV.

Provocările industrii

  • Regenerarea printurilor la această scară reduce randamentul peste 40 %.
  • Costul de producție crește, fiind mult mai ridicat decât pe EUV.
  • Scalarea fiecărui ciclu devine dificilă din cauza limitărilor DUV.

Considerații strategice

  • Sancțiunile SUA limitează accesul Chinei la EUV, forțând schimbări în modelul industrial.
  • PSV și SMIC ar trebui să optimizeze fluxul pentru a transforma această tehnologie în capabilitate de producție.
  • Succesul ar sublinia că restricțiile nu pot opri avansul tehnologic al Chinei.

Concluzie
Metoda brevetată poate oferi Huawei un nou avantaj competitiv, însă randamentul scăzut și costurile ridicate ramânse obstacole majore. Continuarea evoluției acestui flux poate marca un pas decisiv spre independența semiconductorilor chinezi, dar dezvoltarea sa practică este încă selectă.